youtube外国人评论中国euv光刻机（外国网友评论中国科技）

euv光刻机瓶颈待破,下一代技术怎么走

没有euv光刻机，也造不了3nm，国产芯片可以利用先进封装技术来提升芯片性能和降低成本。没有EUV光刻机，并不意味着中国的芯片企业就无法实现3nm制程。

首先是光刻机，如果华为想要自主制造芯片，就要解决光刻机的问题。而且不是一般的光刻机，考虑到华为麒麟9000采用了5nm的工艺，因此需要EUV光刻机。而全球唯一能生产EUV光刻机的企业是荷兰ASML。

有了问题就需要解决问题，运用科学和智慧，寻找最有利的方式和方法。走我们自己的发展道路，那就是独立自主，自力更生！在困境中寻求出路。

我国唯一一台euv光刻机现状

值得强调的是， 富士康青岛封测晶圆厂一口气向上海微电子采购了46台国产高端封测光刻机。 另外，根据此前多次传出的消息可知，上海微电子自研的可媲美DUV的浸没式光刻机将于明年正式落地。

在其中就包含光刻技术的缺少，中国往往一直无法完成集成芯片的实用化生产制造，便是由于光刻技术的总数匮乏，并且直到如今连一台高档的EUV光刻技术也没有。

例如，两家日本公司JSR和信越化学，它们主要供应用于控制EUV光刻机的光刻胶，EUV光刻机占光刻机市场的90％。这种实际上的垄断地位甚至使日本可以通过这种材料的供应来限制韩国，这个情况已经在一年前的芯片市场上发生过。

对于低端芯片用户而言，精度90nm的国产光刻机必须存在。很多人说起芯片制程，言必2nm、5nm、7nm EUV，至于90nm制程工艺，认为根本没有存在的必要。其实，这是一个非常片面的认知。

EUV光刻机具有非常广阔的应用前景。随着科技的不断发展，芯片的尺寸会越来越小，EUV光刻机将成为芯片制造的必备技术之一。同时，EUV光刻机的制造和研发也将成为一个庞大的产业链，为经济的发展带来了新的机遇。

原因一：荷兰的ASML并不是一家白手起家的公司，而是从著名电子制造商飞利浦，独立出来的一个公 司，背后肯定有相关的人员，经济上的资助。

duv和euv光刻机区别

1、EUV已被确定为先进工艺芯片光刻机的发展方向。DUV已经能满足绝大多数需求：覆盖7nm及以上制程需求。DUV和EUV最大的区别在光源方案。duv的光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。

2、发光原理不同。duv：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。euv：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为15纳米。光路系统不同。duv：主要利用光的折射原理。

3、euv和duv相比，euv更先进。EUV光刻技术与DUV光刻技术相比较，除了制造成品尺寸的重要不同之外，还考虑到了成本、效率和可持续性等方面的因素。因此，EUV光刻技术比DUV光刻技术更加先进和高端。

4、发光原理不同 duv：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。euv：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为15纳米。光路系统不同 duv：主要利用光的折射原理。